삼성전자가 차세대 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 AI 메모리 시장 주도권 굳히기에 나섰다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”고 밝혔다. 이어 “압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 강조했다.
원스톱 턴키·메모리·파운드리·패키징 일원화
삼성전자는 메모리·Foundry·시스템LSI·첨단 패키징까지 모두 아우르는 세계 유일의 원스톱(One-Stop) 턴키 솔루션을 기반으로 공급 안정성을 확보해 나갈 방침이다. 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.
HBM4E의 핀당 동작 속도는 최대 16Gbps로 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.
48GB·용량 30% 증가·32GB·64GB 라인업 확대
용량 측면에서도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단)·64GB(16단)까지 라인업을 확대해 나갈 계획이다.
1c D램·4나노 로직 다이·에너지 효율 16% 개선
이번 제품의 차별점은 전작 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 Foundry 4나노 로직 다이 조합에 있다. 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보해 경쟁사들이 쉽게 따라올 수 없는 진입장벽을 구축한 것으로 평가받는다.
저전력 설계 및 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율은 16%·열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 고부하 AI 연산 환경에서 발열 문제를 해결함으로써 글로벌 데이터센터의 전력 소모 절감에도 기여한다.
HBM4 SiP 테스트 11.7Gbps·최고 등급·양산 확대
한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4도 양산 공급을 확대 중이다. 글로벌 고객사들은 속도와 전력 효율 측면에서 긍정적인 평가를 내놓고 있다. 지난해 12월 삼성전자 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps의 업계 최고 수준 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.
HBM4E와 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 HBM4가 양산되고 있다는 점에서 이번에 출하한 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높다는 평가가 나오고 있다.